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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo máxima
Toshiba Diodos Schottky de SiC 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 82 A 1.2 kV 1.27 V 1.88 kA 1.4 uA + 175 C
Toshiba Diodos Schottky de SiC 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 102 A 1.2 kV 1.27 V 2.16 kA 1.8 uA + 175 C