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NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 26.05 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVBG025N065SC1

Fabricante N.º:

NVBG025N065SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Hoja de datos:

NVBG025N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$19.49	$15,592.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	106 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	164 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	395 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	NVBG025N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns

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Hoja de datos

NVBG025N065SC1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVBG025N065SC1 features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).