Resultados: 131
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified 7,276En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 12 V 15 A 13 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 6 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 2,823En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30V 11,026En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31.5 nC - 55 C + 175 C 3.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40V 3,799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30 V 5,415En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V 13,972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) 35,065En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20V (D-S) 1,325En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 7.4 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified 2,254En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 20 V 8 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 14 nC - 55 C + 175 C 3.6 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified 3,674En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30 V 2,313En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 175 C 6.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V 1,237En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET 3,979En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 8 A 21 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 22.7 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 1,389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 3.9 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET 12,023En existencias
30,000Se espera el 24/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 600 mV 4.95 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 42,707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 7 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET 15,809En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 115 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 79,690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 177 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 77En existencias
39,000Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 4.1 A 94 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.2 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 9,992En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 40 V 6.9 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.35 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET 13,438En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 7.4 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 32,238En existencias
33,000Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 60 V 5.3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16.9 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 4,282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20.7 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 44.8 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE 43,385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7 A 82.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14.3 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 57,491En existencias
60,000Se espera el 2/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement