Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
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Vishay / Siliconix

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2 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQ4184EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4425EY-T1_GE3
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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3481CEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3456CEV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4050EY-T1_GE3
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N-Channel

1 Channel

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19 A

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4483EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

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7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 12V

SQ4153EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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$0.788

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30 V

SQ4425EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: $2.85
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SQ4425EY-T1_BE3

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

SQ4937EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.90
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SQ4937EY-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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$0.55

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

5 A

56 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ3481EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3481EV-T1_GE3

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78-SQ3481EV-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.4 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4435EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.12
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SQ4435EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

15 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified

SQ4940AEY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ4940AEY-T1_GE3

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78-SQ4940AEY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

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SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4064EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CHANNEL 40 V

SQ4940AEY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SQ4940AEY-T1_BE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CHANNEL 40 V

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2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S)

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

3 A

85 mOhms, 85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ3419AEEV-T1_GE3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S)

SQ3481EV-T1_BE3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.4 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W