PSMN0xx-100MSE NextPower PoE MOSFETs

Nexperia PSMN040-100MSE / PSMN075-100MSE NextPower Power-over-Ethernet (PoE) MOSFETs are designed to complement the latest high-power, PSE controllers. These Nexperia PoE MOSFETs offer more than two times the protection of competitive devices, together with low RDS(on) parameters in a cost-effective, industry-standard LFPAK33 package. SMN040-100MSE and PSMN075-100MSE feature an enhanced forward-biased safe operating area for superior linear mode operation.

Resultados: 2
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 30A N-CH MOSFET
Hoja de datos
105,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 36.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 18A N-CH MOSFET
Hoja de datos
12,596Se espera el 8/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel