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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
- STP28NM60ND
- STMicroelectronics
-
1:
$2.66
-
990En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM60ND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
|
|
990En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
23 A
|
150 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
62.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
190 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
- STD13NM60ND
- STMicroelectronics
-
1:
$5.26
-
4,046En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD13NM60ND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
|
|
4,046En existencias
|
|
|
$5.26
|
|
|
$2.68
|
|
|
$2.19
|
|
|
$2.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
380 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
24.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
109 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
- STF28N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.66
-
780En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
|
|
780En existencias
|
|
|
$3.66
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.47
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
24 A
|
120 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
35 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
- STF28N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.94
-
457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
|
|
457En existencias
|
|
|
$3.94
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
21 A
|
130 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
- STB18NM60ND
- STMicroelectronics
-
1,000:
$2.85
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB18NM60ND
Verificar estado con la fábrica
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
290 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
130 W
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
- STB28NM60ND
- STMicroelectronics
-
1,000:
$2.89
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28NM60ND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
23 A
|
150 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
62.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
190 W
|
Enhancement
|
|
Reel
|
|
