Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet 30,792En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET 1,028En existencias
3,000Se espera el 2/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 151 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET
17,406En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 124 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
4,862Se espera el 12/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 78 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel