Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

TK3P80E,RQ
Toshiba
1: $2.11
3,166En existencias

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TK3P80E,RQ

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757-TK3P80ERQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

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Cinta cortada

$2.11

$1.35

$0.906

$0.723

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$0.607

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

4.9 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

TK9J90E,S1E
Toshiba
1: $3.98
2,984En existencias

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TK9J90E,S1E

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757-TK9J90ES1E

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

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$3.98

$2.26

$1.84

$1.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P

N-Channel

1 Channel

900 V

9 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MOSVIII

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

TK10A80E,S4X
Toshiba
1: $3.89
163En existencias

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TK10A80E,S4X

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757-TK10A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

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163En existencias

$3.89

$2.00

$1.91

$1.47

$1.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

700 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK3A90E,S4X
Toshiba
1: $2.01
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TK3A90E,S4X

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757-TK3A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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250En existencias

$2.01

$0.971

$0.865

$0.691

$0.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

2.5 A

4.6 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

TK7J90E,S1E
Toshiba
1: $3.88
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TK7J90E,S1E

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757-TK7J90ES1E

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

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60En existencias

$3.88

$2.64

$1.79

$1.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

MOSVIII

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN

TK10J80E,S1E
Toshiba
1: $5.11
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TK10J80E,S1E

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757-TK10J80ES1E

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN

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$5.11

$2.93

$2.40

$1.98

$1.97

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Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

700 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MOSVIII

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET

TK2P90E,RQ
Toshiba
1: $2.16
13En existencias
4,000Se espera el 21/9/2026

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TK2P90E,RQ

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757-TK2P90ERQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

2 A

5.9 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220SISPD=35WF=1MHZ

TK4A80E,S4X
Toshiba
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TK4A80E,S4X

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757-TK4A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220SISPD=35WF=1MHZ

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$2.22

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$0.978

$0.755

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS

TK6A80E,S4X
Toshiba
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TK6A80E,S4X

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757-TK6A80ES4X

Toshiba

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$1.65

$1.52

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$1.09

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

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MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS

TK7A90E,S4X
Toshiba
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TK7A90E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS

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182En existencias

$2.75

$1.37

$1.33

$0.989

$0.97

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

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MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS

TK9A90E,S4X
Toshiba
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150Se espera el 17/8/2026

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TK9A90E,S4X

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757-TK9A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS

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$1.75

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$1.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

9 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

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