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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
- BSC0702LSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.99
-
3,273En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0702LSATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
|
|
3,273En existencias
|
|
|
$1.99
|
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|
$1.27
|
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$0.855
|
|
|
$0.677
|
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|
$0.584
|
|
|
$0.545
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
100 A
|
2.7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- ISZ0602NLSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.05
-
3,142En existencias
-
5,000Se espera el 11/6/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ0602NLSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
3,142En existencias
5,000Se espera el 11/6/2026
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.31
|
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|
$0.882
|
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$0.753
|
|
|
Ver
|
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|
$0.567
|
|
|
$0.669
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.567
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
64 A
|
7.8 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
60 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- ISZ0702NLSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.87
-
3,281En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ0702NLSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
3,281En existencias
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.20
|
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$0.798
|
|
|
$0.631
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.523
|
|
|
$0.561
|
|
|
$0.559
|
|
|
$0.523
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
86 A
|
4.5 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
65 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- ISZ0703NLSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.61
-
11,340En existencias
-
5,000Se espera el 26/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ0703NLSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
11,340En existencias
5,000Se espera el 26/11/2026
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.677
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.41
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.445
|
|
|
$0.409
|
|
|
$0.405
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
56 A
|
7.3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
8.7 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
44 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC0802NLSATMA1
- Infineon Technologies
-
5,000:
$0.657
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC0802NLSATMA1
Verificar estado con la fábrica
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
150 A
|
3.6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
29 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC0805NLSATMA1
- Infineon Technologies
-
5,000:
$0.432
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC0805NLSATMA1
Verificar estado con la fábrica
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-FL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
71 A
|
7.8 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
74 W
|
Enhancement
|
|
Reel
|
|
