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TS3V713ELRTGR

Name: Texas Instruments TS3V713ELRTGR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TS3V713ELRTGR
Price: 2.74 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-TS3V713ELRTGR

Fabricante N.º:

TS3V713ELRTGR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Circuitos integrados de interruptor de video 7-Channel 1:2 Video Switch

Hoja de datos:

TS3V713ELRTGR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptor de video
RoHS:
Producto:	Video Switches
Configuración:	1 x 1:2
Resistencia en modo encendido - Máx.:	8 Ohms
Ancho de banda:	1.3 GHz
Tiempo encendido - Máx.:	13 ns
Tiempo apagado - Máx.:	13 ns
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V, 5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WQFN-32
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	7 Channel
Tipo de producto:	Video Switch ICs
Serie:	TS3V713EL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Switch ICs
Tipo de suministro:	Dual Supply
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V, 5.5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V, 4.5 V
Interruptor de corriente continua:	100 mA
Tensión de interruptor - Máx.:	3.6 V, 5.5 V
Peso de la unidad:	40 mg

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JPHTS:: 8542390990
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

TS3V713EL Video Switch

Texas Instruments TS3V713EL video switch is a high bandwidth, 7-channel video multiplexer / demultiplexer for switching between a single VGA source and one of two end points. The TI TS3V713EL video switch is designed for ensuring video signal integrity and minimizing video signal attenuation by providing high bandwidth of 1.3 GHz. The TI TS3V713EL video switch has integrated level shifting buffers for the HSYNC and VSYNC signals which provide voltage level translation between 3.3V and 5V logic. The SCL and SDA lines use NMOS switches which clamp the output voltage to 1 V below VDD. The video signals are protected against ESD with integrated diodes to VDD and GND that support levels up to ±2 kV Contact Discharge and 8 kV Human Body Model.