Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
7.3 mOhms
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23 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
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50 W
Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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1
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$0.954
100
$0.687
500
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1,000
Ver
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1,000
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$0.488
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
11 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ123N08NS3 G
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1
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$0.694
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2,500
$0.59
10,000
$0.50
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
10.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
25 nC
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+ 150 C
66 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ130N03LS G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
2,913 En existencias
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Ver
1,000
$0.232
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25,000
$0.176
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
35 A
16.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
9.5 nC
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+ 150 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
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726-BSZ900N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
2,025 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.94
10
$1.24
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Ver
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$0.587
5,000
$0.498
25,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
13 A
74 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPB014N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
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726-IPB014N04NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
45 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
191 A
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- 20 V, 20 V
2.1 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
967 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.72
10
$1.75
100
$1.25
500
$1.06
1,000
$0.897
2,000
Ver
2,000
$0.852
5,000
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10,000
$0.824
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
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546 En existencias
800 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
546 En existencias
800 En pedido
1
$2.12
10
$1.40
100
$0.938
500
$0.876
800
$0.611
2,400
Ver
2,400
$0.591
24,800
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
103 A
5.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.36
508 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
508 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.36
10
$2.19
100
$1.68
500
$1.40
1,000
Ver
1,000
$1.20
2,500
$1.14
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1:
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1,026 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1,026 En existencias
1
$3.33
10
$2.29
100
$1.60
500
$1.46
800
$1.13
9,600
$1.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
160 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRL7PP
Infineon Technologies
1:
$2.87
167 En existencias
1,600 Se espera el 5/3/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRL7PP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
167 En existencias
1,600 Se espera el 5/3/2026
1
$2.87
10
$2.34
100
$1.99
500
$1.64
800
$1.57
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
75 V
240 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
285 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$4.17
853 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
853 En existencias
1
$4.17
10
$2.73
100
$2.05
500
$1.82
800
$1.41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
195 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
271 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC027N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.51
5,756 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC027N04LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
5,756 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.51
10
$0.946
100
$0.628
500
$0.496
1,000
Ver
5,000
$0.357
1,000
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2,500
$0.422
5,000
$0.357
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS 5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC035N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.43
587 En existencias
5,000 Se espera el 3/9/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC035N04LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
587 En existencias
5,000 Se espera el 3/9/2026
Embalaje alternativo
1
$1.43
10
$0.896
100
$0.595
500
$0.47
1,000
Ver
5,000
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1,000
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2,500
$0.349
5,000
$0.349
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.12
1,065 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1,065 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.12
10
$1.36
100
$0.938
500
$0.795
1,000
Ver
5,000
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1,000
$0.664
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5,000
$0.589
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ067N06LS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.06
1,525 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ067N06LS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
1,525 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.06
10
$1.31
100
$0.87
500
$0.713
1,000
Ver
5,000
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1,000
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2,500
$0.606
5,000
$0.514
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
5.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.36
5,000 Se espera el 13/8/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
5,000 Se espera el 13/8/2026
Embalaje alternativo
1
$1.36
10
$0.857
100
$0.568
500
$0.466
1,000
Ver
5,000
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1,000
$0.403
2,500
$0.375
5,000
$0.318
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ040N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.45
10,000 Se espera el 27/8/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ040N04LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
10,000 Se espera el 27/8/2026
Embalaje alternativo
1
$1.45
10
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$0.605
500
$0.478
1,000
Ver
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1,000
$0.431
2,500
$0.395
5,000
$0.355
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
105 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ110N06NS3 G
Infineon Technologies
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726-BSZ110N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
8.8 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0904NSI
Infineon Technologies
1:
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3,819 Se espera el 12/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
3,819 Se espera el 12/3/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
IRF1010EZPBF
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRF1010EZPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
1,990 En pedido
1
$2.08
10
$1.01
100
$0.901
500
$0.718
1,000
Ver
1,000
$0.66
2,000
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
8.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
140 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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$2.69
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$1.20
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$0.927
1,000
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$0.787
25,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
69 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
36 W
Enhancement
Tube