Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

Resultados: 118
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
24,995En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 8.8 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
9,065Se espera el 25/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 36 A 12 mOhms 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
10,000Se espera el 24/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35 A 16.8 mOhms 20 V 2.2 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
Hoja de datos
1,575En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
1En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.3 mOhms 20 V 2 V 165 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,344Se espera el 3/6/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
799Se espera el 24/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 191 A 1.45 mOhms 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
4,995En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 4.9 mOhms 20 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4.7 mOhms 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.7 mOhms 20 V 1.2 V 67 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.8 mOhms 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 6.5 mOhms 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 7.7 mOhms 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 10.3 mOhms 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 38 mOhms 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms 20 V 1.2 V 85 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS 5 Reel