Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Resultados: 118

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.68
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ440N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

$1.68

$1.04

$0.682

$0.536

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Envase tipo carrete

$0.345

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

38 mOhms

20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.52
688En existencias
5,000Se espera el 4/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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688En existencias

5,000Se espera el 4/2/2027

Cinta cortada

$1.52

$0.938

$0.618

$0.486

Envase tipo carrete

$0.325

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.89
62En existencias
2,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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Hoja de datos

62En existencias

2,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

$5.89

$3.53

$2.92

$2.66

Envase tipo carrete

$2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

20 V

2.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1: $6.03
18En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

18En existencias

3,000En pedido

$6.03

$3.95

$2.95

$2.46

$2.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1: $4.71
718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP111N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP111N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

718En existencias

$4.71

$3.08

$2.30

$1.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

9.4 mOhms

20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3

IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1: $3.67
531En existencias
500Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP200N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

531En existencias

500Se espera el 17/12/2026

$3.67

$2.39

$1.68

$1.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

20 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET

IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1: $5.39
715En existencias
590Se espera el 21/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7730TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET

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Hoja de datos

715En existencias

590Se espera el 21/9/2026

Cinta cortada

$5.39

$3.53

$2.64

$1.93

Envase tipo carrete

$1.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

195 A

2.6 mOhms

20 V

3.7 V

271 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLB3036PBF
Infineon Technologies
1: $4.04
534En existencias
3,000Se espera el 29/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3036PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3036PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

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Hoja de datos

534En existencias

3,000Se espera el 29/7/2027

$4.04

$2.43

$1.80

$1.38

$1.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

195 A

2.8 mOhms

16 V

1.8 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

IRFS7734TRLPBF
Infineon Technologies
1: $3.88
267En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7734TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7734TRLPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

Hoja de datos

267En existencias

Cinta cortada

$3.88

$2.17

$1.59

$1.37

Envase tipo carrete

$1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

183 A

3.5 mOhms

20 V

3.7 V

270 nC

- 55 C

+ 175 C

290 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC019N04NS G
Infineon Technologies
1: $2.00
339En existencias
20,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

339En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

$2.00

$0.943

$0.837

$0.61

Ver

Envase tipo carrete

$0.428

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

1.9 mOhms

20 V

4 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.17
4,148En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,148En existencias

Cinta cortada

$3.17

$2.05

$1.41

$1.18

Ver

Envase tipo carrete

$1.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC120N03LS G
Infineon Technologies
1: $1.02
5,162En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC120N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC120N03LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,162En existencias

Cinta cortada

$1.02

$0.726

$0.452

$0.312

Envase tipo carrete

$0.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

10 mOhms

20 V

1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1: $1.64
706En existencias
5,000Se espera el 6/5/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ035N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

706En existencias

5,000Se espera el 6/5/2027

Cinta cortada

$1.64

$0.91

$0.671

$0.526

Ver

Envase tipo carrete

$0.376

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

113 A

3.4 mOhms

20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ050N03MS G
Infineon Technologies
1: $1.51
730En existencias
5,000Se espera el 25/2/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03MSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

730En existencias

5,000Se espera el 25/2/2027

Cinta cortada

$1.51

$0.837

$0.618

$0.509

$0.453

Envase tipo carrete

$0.335

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4.6 mOhms

20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1: $4.07
115En existencias
800Se espera el 15/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3206TRRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

Hoja de datos

115En existencias

800Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

$4.07

$2.06

$1.76

$1.36

Envase tipo carrete

$1.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

210 A

2.4 mOhms

20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1: $3.17
97En existencias
800Se espera el 17/6/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3306TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

Hoja de datos

97En existencias

800Se espera el 17/6/2027

Cinta cortada

$3.17

$1.67

$1.42

$1.15

Envase tipo carrete

$1.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

3.3 mOhms

20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB

IRFB7546PBF
Infineon Technologies
1: $1.56
1,334En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7546PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7546PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB

Hoja de datos

1,334En existencias

$1.56

$0.735

$0.654

$0.513

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

75 A

6 mOhms

20 V

3.7 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

99 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
1: $2.25
2,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

2,299En existencias

Cinta cortada

$2.25

$1.43

$0.96

$0.778

Ver

Envase tipo carrete

$0.626

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1: $1.08
3,589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

3,589En existencias

Cinta cortada

$1.08

$0.663

$0.436

$0.343

Envase tipo carrete

$0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

58 A

5 mOhms

20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NS
Infineon Technologies
1: $1.65
2,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,876En existencias

Cinta cortada

$1.65

$1.02

$0.669

$0.526

Envase tipo carrete

$0.352

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.00
66En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

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1.6 mOhms
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2.2 mOhms
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7 nC
8.7 nC
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10.4 nC
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2.5 W
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