Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds
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700En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
265En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Hoja de datos
68En existencias
300Se espera el 26/8/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds
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141En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds
Hoja de datos
191En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 250V 50 Rds
Hoja de datos
195En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id60 BVdass100
Hoja de datos
28En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench POWER Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200v, 60A
Hoja de datos
66En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds
Hoja de datos
185En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds
Hoja de datos
103En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
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274En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds
Hoja de datos
810En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS Módulos MOSFET 360 Amps 100V
Hoja de datos
1,861En pedido
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V
Hoja de datos
278Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Hoja de datos
600En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 155A 250V
Hoja de datos
300Se espera el 4/6/2026
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 230A 200V
Hoja de datos
368Se espera el 4/8/2026
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160A 300V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
Hoja de datos
300Se espera el 7/9/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 0V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 0V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3