Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
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IPP076N15N5XKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$1.38

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

112 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

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214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.12
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BSC022N04LS6ATMA1

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726-BSC022N04LS6ATMA

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$2.12

$1.35

$0.908

$0.754

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
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68En existencias
5,000Se espera el 4/5/2027

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BSC097N06NSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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5,000Se espera el 4/5/2027

Cinta cortada

$1.73

$1.08

$0.709

$0.556

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Envase tipo carrete

$0.387

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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$1.99

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
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$0.369

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$0.249

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
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5,000Se espera el 16/7/2026

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IAUC41N06S5N102ATMA1

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726-IAUC41N06S5N102A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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5,000Se espera el 16/7/2026

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$1.36

$0.849

$0.562

$0.44

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Envase tipo carrete

$0.331

MouseReel Disponible

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Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Infineon Technologies
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726-IQDH35N03LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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OptiMOS

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IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQDH88N06LM5CGATMA1

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726-IQDH88N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$2.34

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$2.25

MouseReel Disponible

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TTFN-9

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447 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.45
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IQE050N08NM5ATMA1

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726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$3.45

$2.24

$1.59

$1.29

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Envase tipo carrete

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.78
104En existencias
6,000Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$3.78

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Envase tipo carrete

$1.27

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WHSON-8

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13 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.71
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH68N06NM5ATMA1

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726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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18En existencias

Cinta cortada

$6.71

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$3.36

$3.26

Envase tipo carrete

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1 Channel

60 V

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168 nC

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273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.28
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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102En existencias

Cinta cortada

$3.28

$2.14

$1.49

$1.25

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Envase tipo carrete

$1.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: $5.21
9,000Se espera el 19/11/2026

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ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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9,000Se espera el 19/11/2026

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$5.21

$3.78

$2.71

$2.64

$2.50

Envase tipo carrete

$2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.96
35,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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35,000En pedido

Cinta cortada

$1.96

$1.24

$0.869

$0.726

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Envase tipo carrete

$0.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.54
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

12,000En pedido

Cinta cortada

$4.54

$3.00

$2.12

$1.80

Envase tipo carrete

$1.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC015N06NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.92
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC015N06NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC015N06NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

10,000En pedido

Cinta cortada

$4.92

$3.25

$2.30

$2.02

$2.01

Envase tipo carrete

$1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

275 A

1.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.45 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $1.45
12,274Se espera el 9/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC0504NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

12,274Se espera el 9/7/2026

Cinta cortada

$1.45

$0.878

$0.597

$0.484

Ver

Envase tipo carrete

$0.339

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

72 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.42
27,712En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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27,712En pedido

Cinta cortada

$1.42

$0.832

$0.558

$0.48

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Envase tipo carrete

$0.319

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.39
9,970Se espera el 23/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

9,970Se espera el 23/7/2026

Cinta cortada

$3.39

$2.18

$1.54

$1.25

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Envase tipo carrete

$1.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5

IAUS300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.10
1,800Se espera el 6/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N10S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5

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Hoja de datos

1,800Se espera el 6/8/2026

Cinta cortada

$7.10

$4.78

$3.47

$3.28

$3.06

Envase tipo carrete

$3.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

100 V

360 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.20
3,594Se espera el 2/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC014N10NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

3,594Se espera el 2/7/2026

Cinta cortada

$6.20

$4.14

$2.99

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$2.55

Envase tipo carrete

$2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

365 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQD009N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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4,990Se espera el 9/7/2026

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IQD009N06NM5CGATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

445 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

IQE012N03LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $2.85
6,000Se espera el 18/6/2026
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N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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Envase tipo carrete

$0.898

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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IQE030N06NM5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
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IQE046N08LM5SCATMA1

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726-IQE046N08LM5SCAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$1.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
16 A
21 A
40 A
41 A
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46 A
47 A
49 A
69 A
72 A
84 A
85 A
95 A
99 A
100 A
101 A
112 A
120 A
122 A

290 uOhms
350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
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1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.57 mOhms

10 nC
11 nC
11.1 nC
12.5 nC
15 nC
17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
39 nC
40 nC
43 nC
44 nC
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49 nC
52 nC
53 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W
136 W