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NVHL025N065SC1

Name: onsemi NVHL025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N065SC1
Price: 29.93 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVHL025N065SC1

Fabricante N.º:

NVHL025N065SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Hoja de datos:

NVHL025N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	99 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	164 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	348 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	51 ns
Serie:	NVHL025N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns

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Hoja de datos

NVHL025N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NVHL025N065SC1

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) NVHL025N065SC1 de onsemi son MOSFET EliteSiC de 25 mΩ y 650 V que ofrecen un rendimiento de conmutación superior. El NVHL025N065SC1 de onsemi ofrece una mayor confiabilidad en comparación con el silicio y una baja resistencia de encendido. El tamaño compacto de chip de los MOSFET garantiza una baja capacitancia y carga de puerta. Los beneficios del sistema incluyen su alta eficiencia, frecuencia de operación rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducida y menor tamaño del sistema.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).