Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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NVMFSC0D9N04C
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4,500Se espera el 10/8/2027

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS024N06CT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
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NVMFS5C604NLAFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
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3,817En existencias
3,000Se espera el 19/6/2026

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NVMFS5C604NLWFAFT1G

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863-NVMFS5C604NWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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$6.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

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NRND

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$2.11

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$1.97

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SO-8FL-4

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1 Channel

60 V

250 A

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1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLT1G
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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$4.85

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$2.09

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60 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
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NVMFS024N06CT1G

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863-NVMFS024N06CT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
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NVMFSC0D9N04CL

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
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1: $8.00
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

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863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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$8.00

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$3.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFET1G
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NVMFS5C604NLWFET1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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1,500Se espera el 17/7/2026

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$6.91

$4.59

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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLET1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Hoja de datos

1,500Se espera el 19/6/2026

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- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
1: $1.96
1,500Se espera el 24/7/2026
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5832NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5832NLWFT1G-UM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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$1.25

$0.842

$0.668

$0.583

Envase tipo carrete

$0.582

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.2 mOhms

20 V

2.4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5,000: $2.84
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G

NRND

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Envase tipo carrete

$2.84

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A, 287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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