OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low RDS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V
Hoja de datos
1,000Se espera el 26/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 166 A 2.36 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V\ 43 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V
Hoja de datos
1,000Se espera el 26/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 125 A 3.26 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 27 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V
Hoja de datos
1,000Se espera el 26/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 5.54 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape