Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ454EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA20EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified

SQM120N06-3M5L_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM60030E_GE3
Vishay Semiconductors
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SQM60030E_GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified

SQM120N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM120N04-1m7L_GE3

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Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70

SQ1464EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1464EEH-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQ3418AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3418EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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6,000Se espera el 4/6/2026

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SQ3418EV-T1_GE3

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78-SQ3418EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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TSOP-6

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40 V

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26 mOhms

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

SQA470EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQA470EJ-T1_GE3

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78-SQA470EJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SC-70-6

N-Channel

1 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50034EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD50034EL_GE3

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78-SQD50034EL_GE3

Vishay / Siliconix

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100 A

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Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.13
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SQJ148EP-T1_GE3

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78-SQJ148EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

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15 A

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ100EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.39
164En existencias
2,000Se espera el 18/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ100EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ100EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

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40 V

160 A

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- 20 V, 20 V

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+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

SUD23N06-31-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.60
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N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD23N06-31-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

SQD50N04-5m6_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.36
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N.º de artículo del Fabricante
SQD50N04-5m6_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50N04-5M6T4GE

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

50 A

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.61
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57,000Se espera el 19/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ416EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ416EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

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27 A

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2.5 V

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ460AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.20
1,630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ460AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.61
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SQJA00EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA00EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJA04EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.98
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N.º de artículo del Fabricante
SQJA04EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA04EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

60 V

75 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

57 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA72EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA72EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

100 V

37 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJA88EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA88EP-T1_GE3

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78-SQJA88EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

SQM90142E_GE3
Vishay Semiconductors
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SQM90142E_GE3

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78-SQM90142E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

95 A

15.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40020EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM40020EL_GE3

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78-SQM40020EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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494En existencias

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$1.45

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

17.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21.4 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.45 mOhms
3.7 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
17 nC
17.6 nC
18 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
62 W
62.5 W
68 W
70 W