Resultados: 88
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 3,619En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified 1,583En existencias
Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 519En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 108 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified 612En existencias
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Si SMD/SMT TO-252 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W 2,437En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 2,940En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds N-Ch AEC-Q101 Qualified 2,000En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V - 55 C + 175 C Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263 746En existencias
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified 1,754En existencias
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 86 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified 2,375En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 80 V 46 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified 798En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 840 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 6,472En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 504 A 870 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 196 nC - 55 C + 175 C 266 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 6,475En existencias
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Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 72 A 8.67 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 30,551En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 48 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 12,187En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 13,104En existencias
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 135 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 13,052En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 100 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified 23,015En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 95 A 15.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 2,881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 153 A 3.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id 44,484En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 240 mOhms - 8 V, 8 V 460 mV 2.5 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 8,465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 1,799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified 2,234En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 6,571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 200 V 13 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified 3,008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel