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IS20M8R0S1P

Name: iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M8R0S1P
Price: 5.9 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

25-IS20M8R0S1P

Fabricante N.º:

IS20M8R0S1P

Fabricante:

iDEAL Semiconductor

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	iDEAL Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	128 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.1 V
Qg - Carga de puerta:	73 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	333 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	iDEAL Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	US
País de origen:	US
Tiempo de caída:	5.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	37 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.9 ns
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18.7 ns