MOSFETs de SiC – Mouser República Dominicana

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Resultados: 24

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

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UF3C065040K4S

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431-UF3C065040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

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$19.39

$12.36

$11.69

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1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

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4 V

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326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

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UF3C065040K3S
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UF3C065040K3S

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431-UF3C065040K3S

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MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

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$19.51

$12.17

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1 Channel

650 V

54 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

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+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

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UF3C120080B7S
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722En existencias

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UF3C120080B7S

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MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

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Cinta cortada

$19.23

$13.69

$12.06

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190 W

Enhancement

SiC FET

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$5.56

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Cinta cortada

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$18.28

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650 V

65 A

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- 25 V, + 25 V

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650 V

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- 25 V, + 25 V

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MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

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27 A

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SiC FET

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$9.01

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D2PAK-7

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22.5 nC

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SiC FET

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UF3C170400B7S
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1: $11.38
219En existencias
1,600En pedido

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UF3C170400B7S

N.º de artículo de Mouser
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MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

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219En existencias

1,600En pedido

Cinta cortada

$11.38

$7.86

$6.11

$5.70

Envase tipo carrete

$5.70

MouseReel Disponible

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

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23.1 nC

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100 W

Enhancement

SiC FET

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UF3C065030K3S
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UF3C065030K3S

N.º de artículo de Mouser
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120En existencias

$25.09

$16.48

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4

UF3C065030K4S
onsemi
1: $26.03
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4

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338En existencias

$26.03

$16.65

$16.58

Min.: 1
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1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

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441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C065080K3S
onsemi
1: $11.95
664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

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664En existencias

$11.95

$7.23

$6.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

UF3C065080T3S
onsemi
1: $11.46
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

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507En existencias

$11.46

$6.52

$6.01

$5.88

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

UF3C120040K3S
onsemi
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229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

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229En existencias

$23.34

$20.52

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

UF3C120150B7S
onsemi
1: $12.28
405En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150B7S

N.º de artículo de Mouser
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MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

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405En existencias

Cinta cortada

$12.28

$8.52

$6.75

$6.30

Envase tipo carrete

$6.30

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Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

150 mOhms

- 25 V, + 25 V

4.4 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C170400K3S
onsemi
1: $11.23
719En existencias
600Se espera el 7/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
UF3C170400K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3

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719En existencias

600Se espera el 7/8/2026

$11.23

$6.86

$5.82

$5.79

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

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1 Channel

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7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-3

UF3C065040B3
onsemi
1: $16.44
191En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040B3

N.º de artículo de Mouser
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NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-3

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191En existencias

Cinta cortada

$16.44

$11.60

$9.86

Envase tipo carrete

$9.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

41 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C120080K4S
onsemi
1: $21.18
49En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4

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49En existencias

600En pedido

$21.18

$13.30

$12.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

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SiC FET

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UF3C120150K4S
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N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150K4S

N.º de artículo de Mouser
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MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4

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64En existencias

$13.62

$8.45

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18.4 A

330 mOhms

- 25 V, + 25 V

3.5 V

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+ 175 C

166.7 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

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