MMIX1T500N20X4-TU

IXYS
747-MMIX1T500N20X4TU
MMIX1T500N20X4-TU

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V < 2mohm X4 n-channel MOSFET in SMPD -X

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$41.56 $415.60
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
SiC
SMD/SMT
SMPD-24
N-Channel
1 Channel
200 V
480 A
1.99 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
535 nC
- 55 C
+ 175 C
1.07 kW
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 485 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 150 S
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 560 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 20
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 600 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 200 ns
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de potencia de 200 V MMIX1T500N20X4 / X4-Class

IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class Power MOSFET is an N-channel enhancement mode MOSFET with an up to 200V blocking voltage and a low RDS(on) of 1.99mΩ. It offers low conduction losses and has reduced heat dissipation. The high-performance ceramic-based isolated package improves overall thermal resistance Rth(j-s) and power handling capability. The IXYS MMIX1T500N20X4 has an isolation voltage of 2500VAC (RMS) for 1 minute and a low gate charge (Qg) of 535nC.