iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L 140En existencias
Cinta cortada
$8.27
$5.82
$4.71
$4.19
Envase tipo carrete
$3.96
$3.36
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 294En existencias
Cinta cortada
$3.65
$2.38
Envase tipo carrete
$1.66
$1.39
$1.29
$1.21
Min.: 1
Mult.: 1
: 100
Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL 1En existencias
100Se espera el 6/11/2026
$7.61
$5.45
$4.48
$3.70
$3.60
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package 1,070En existencias
Cinta cortada
$9.46
$6.46
$5.33
$4.75
Envase tipo carrete
$4.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220 1,077En existencias
$7.55
$4.25
$3.89
$3.28
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 172 A 6.3 mOhms 20 V 3.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 AEC-Q101 200En existencias
$5.01
$2.59
$2.35
$2.27
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Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel 200 V SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package 187En existencias
$10.21
$7.22
$6.00
$5.35
$5.00
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package 1,779En existencias
$4.45
$2.22
$2.06
$1.69
$1.65
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm 2,910En existencias
Cinta cortada
$6.36
$3.72
$3.06
$2.81
Envase tipo carrete
$2.17
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm 331En existencias
$6.77
$4.44
$3.26
$2.90
$2.56
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220
1,000Se espera el 17/11/2026
$5.90
$3.86
$2.84
$2.53
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 128 A 8.3 mOhms 20 V 4.1 V 73 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 175A TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Cinta cortada
$9.62
$6.57
$5.42
$4.83
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 200 V 175 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 108 nC - 55 C +175 C 423 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Envase tipo carrete
$3.54
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Envase tipo carrete
$1.14
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
$9.99
$6.82
$5.62
$5.01
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 132A TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Cinta cortada
$2.85
$2.77
Min.: 1,300
Mult.: 1
Si SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 200 V 132 A 8 mOhms 20 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement SuperQ Reel