STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET 16En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
2,000Se espera el 19/3/2026
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
993Se espera el 19/3/2026
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
100Se espera el 20/3/2026
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STMicroelectronics STF26N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack 1En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3 Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 780 mOhm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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