Resultados: 61
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Qorvo Amplificador de RF 1.5-2.3GHz NF .67dB High Gain 18dB Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt


MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 160
Mult.: 160
: 160

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Infineon Technologies Amplificador de RF RF SILICON MMIC Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Qorvo QPA4446D
Qorvo Amplificador de RF 37.5-42.5GHz,4WPADie
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10