UF3C065030B3

onsemi
431-UF3C065030B3
UF3C065030B3

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

Ciclo de vida:
NRND:
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Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$23.62 $23.62
$17.09 $170.90
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$15.96 $12,768.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
65 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 25 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 16 ns
Serie: UF3C
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 57 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 32 ns
Peso de la unidad: 3 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Models

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

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