SQJ131ELP-T1_GE3 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
908En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 30 V 300 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 207 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement TrenchFET
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
N/A
Si