SQJ110EP-T1_GE3 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
17,759En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 500 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 170A P-CH MOSFET
Hoja de datos
N/A

Si
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 170A P-CH MOSFET
Hoja de datos
N/A

Si