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SCT4013DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DLLTRDC
Price: 34.06 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT4013DLLTRDC

Fabricante N.º:

SCT4013DLLTRDC

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TOLL 750V 120A SIC

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$34.06	$34.06
	$26.04	$260.40
	$23.44	$2,344.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$22.16	$44,320.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TOLL-9
Polaridad del transistor:	N Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	170 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 V
Dp - Disipación de potencia :	405 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	32 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	32 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	82 ns

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.