Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTHL120N60S5Z

Name: onsemi NTHL120N60S5Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL120N60S5Z
Price: 7.17 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NTHL120N60S5Z

Fabricante N.º:

NTHL120N60S5Z

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 EASY 120MOHM

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

NTHL120N60S5Z Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTHL120N60S5Z

En existencias: 783

Existencias:: 783 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 23 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$7.17	$7.17
	$4.85	$48.50
	$3.54	$354.00
	$3.53	$1,588.50
	$3.40	$3,060.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	28 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	120 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	40 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	160 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	SIngle
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	17.1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	NTHL120N60S5Z
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	78 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTHL120N60S5Z Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET® V MOSFETs

onsemi SuperFET^® V MOSFETs are the fifth generation high-voltage Super Junction (SJ) MOSFETs. These devices deliver best-in-class Figure of Merits (FoMs) (R_DS(ON)·Q_G and R_DS(ON)·E_OSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600V SuperFET V MOSFETs provide design benefits through reduced conduction and switching losses while supporting extreme MOSFET dV_DS/dt ratings at 120V/ns. The SuperFET V MOSFET FAST series help to maximize system efficiency and power density. The SuperFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. Typical applications include telecommunication, cloud system, and industrial.