Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

E4MS047120K

Name: Wolfspeed E4MS047120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS047120K
Price: 8.46 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

941-E4MS047120K

Fabricante N.º:

E4MS047120K

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

E4MS047120K Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Wolfspeed E4MS047120K

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 450

Se espera el 21/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 21

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 450 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$8.46	$8.46
	$5.96	$59.60
	$4.81	$577.20
	$4.28	$2,182.80
	$3.79	$3,865.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	46 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	61 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.9 V
Qg - Carga de puerta:	68 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	186 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Automotive
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

E4MS047120K Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: No disponible
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.