DMWSH120H43SM3

Diodes Incorporated
621-DMWSH120H43SM3
DMWSH120H43SM3

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$14.26 $142.60
$12.33 $1,479.60
1,020 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diodes Incorporated
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
To-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
72.7 A
43 mOhms
- 8 V, + 19 V
2.5 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
341 W
Enhancement
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 8.6 ns
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 27.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 28.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15.2 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BVDSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.