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DMWSH120H28SM3Q

Name: Diodes Incorporated DMWSH120H28SM3Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWSH120H28SM3Q
Price: 35.27 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMWSH120H28SM3Q

Fabricante N.º:

DMWSH120H28SM3Q

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

DMWSH120H28SM3Q Hoja de datos (PDF)

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	$35.27	$35.27
	$30.64	$306.40
	$26.80	$3,216.00
1,020	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	97.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	175 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	405 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12.8 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	40.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	44.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24.2 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BV_DSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.