Single SiC Semiconductores

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 140En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 237En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 226En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 50En existencias
480En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 202En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 139En existencias
240Se espera el 11/6/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 240En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 240En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 240En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 218En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 136En existencias
240Se espera el 2/7/2026
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 162En existencias
470En pedido
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 61A SIC 83En existencias
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: 2,000
Nexperia MOSFETs de SiC NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 594En existencias
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: 800

Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263- 720En existencias
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: 800

Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L 716En existencias
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: 800

APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade 288En existencias
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APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade 262En existencias
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch 1,019En existencias
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Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500En existencias
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: 2,500

Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,480En existencias
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: 2,500

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 87En existencias
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch 115En existencias
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch 117En existencias
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Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227 23En existencias
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