Resultados: 194
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Microchip Technology 2N6987
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT THT Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
No
Microchip / Microsemi JANS2N6987
Microchip / Microsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT THT Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas
Min.: 50
Mult.: 1
No
Microchip / Microsemi JANS2N6989
Microchip / Microsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas
Min.: 50
Mult.: 1
No
Microchip / Microsemi Jantx2N6987
Microchip / Microsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 60V 600mA 1.5W PNP Quad - Small-Signal BJT THT Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
No
Infineon Technologies BAV99SH6433XTMA1
Infineon Technologies Diodos de Conmutación de Señal Baja AF DIGITAL TRANSISTOR Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 650mA No en existencias
Min.: 250
Mult.: 25

Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Quad 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 500mW No en existencias
Min.: 250
Mult.: 25

Comchip Technology Diodos de Conmutación de Señal Baja DIODE SWITCHING 85V 500mA 200mW SOT-363 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Comchip Technology Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCH 100mA 80V Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50