|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
- XP3700MT
- YAGEO XSemi
-
1:
$0.66
-
5,390En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
603-XP3700MT
|
YAGEO XSemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
|
|
5,390En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.262
|
|
|
$0.199
|
|
|
$0.147
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.178
|
|
|
$0.136
|
|
|
$0.128
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento óptico Isolated Dual-Input Control Independent Dual-Channel Gate Driver
- MP18851-A4BGY-P
- Monolithic Power Systems (MPS)
-
1:
$4.29
-
88En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
946-MP18851A4BGYP
|
Monolithic Power Systems (MPS)
|
Controladores de puerta con aislamiento óptico Isolated Dual-Input Control Independent Dual-Channel Gate Driver
|
|
88En existencias
|
|
|
$4.29
|
|
|
$3.24
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.42
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.25
|
|
|
$2.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
- CM600DX-24T#110G
- Mitsubishi Electric
-
1:
$192.54
-
25En existencias
-
144En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
917-CM600DX-24T
|
Mitsubishi Electric
|
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
|
|
25En existencias
144En pedido
Existencias:
25 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
84 Se espera el 21/10/2026
60 Se espera el 12/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 160 Amps 45V
- DSS2X81-0045B
- Littelfuse
-
1:
$36.31
-
74En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DSS2X81-0045B
|
Littelfuse
|
Rectificadores y diodos Schottky 160 Amps 45V
|
|
74En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K
- DMP68D1LV-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.69
-
3,527En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP68D1LV-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K
|
|
3,527En existencias
|
|
|
$0.69
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.304
|
|
|
$0.188
|
|
|
$0.123
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.138
|
|
|
$0.106
|
|
|
$0.093
|
|
|
$0.084
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQ4940CEY-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.43
-
3,354En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4940CEY-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
3,354En existencias
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.463
|
|
|
$0.325
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.395
|
|
|
$0.291
|
|
|
$0.29
|
|
|
$0.281
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores 100A 1600V SOT-227B
- DMA200X1600NA
- IXYS
-
1:
$38.66
-
394En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DMA200X1600NA
|
IXYS
|
Rectificadores 100A 1600V SOT-227B
|
|
394En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
- HFA3135IHZ96
- Renesas / Intersil
-
1:
$13.58
-
444En existencias
-
3,000Se espera el 5/2/2027
|
N.º de artículo de Mouser
968-HFA3135IHZ96
|
Renesas / Intersil
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
|
|
444En existencias
3,000Se espera el 5/2/2027
|
|
|
$13.58
|
|
|
$9.89
|
|
|
$8.39
|
|
|
$7.52
|
|
|
$7.06
|
|
|
$7.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL
- CM100DY-24T
- Mitsubishi Electric
-
1:
$93.94
-
48En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
917-CM100DY-24T
|
Mitsubishi Electric
|
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL
|
|
48En existencias
|
|
|
$93.94
|
|
|
$77.61
|
|
|
$69.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
- SH8K12TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.99
-
2,251En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SH8K12TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
|
|
2,251En existencias
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.809
|
|
|
$0.636
|
|
|
$0.44
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.544
|
|
|
$0.431
|
|
|
$0.422
|
|
|
$0.414
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 600V 200A
- DBA200UA60
- SanRex
-
1:
$33.88
-
108En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
197-DBA200UA60
|
SanRex
|
Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 600V 200A
|
|
108En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
- FDMS3660S
- onsemi
-
1:
$2.90
-
7,886En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3660S
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
|
|
7,886En existencias
|
|
|
$2.90
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
- FMBM5551
- onsemi
-
1:
$0.61
-
46,787En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FMBM5551
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
|
|
46,787En existencias
|
|
|
$0.61
|
|
|
$0.357
|
|
|
$0.253
|
|
|
$0.205
|
|
|
$0.18
|
|
|
$0.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,030
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Cmp 30V NP Ch UMOS
- ZXMC3A16DN8TC
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.13
-
3,080En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMC3A16DN8TC
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Cmp 30V NP Ch UMOS
|
|
3,080En existencias
|
|
|
$2.13
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.881
|
|
|
$0.732
|
|
|
$0.672
|
|
|
$0.608
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual 20V PNP-20V 64mOhm 4.5A IC
- ZXTD718MCTA
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.33
-
5,007En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
522-ZXTD718MCTA
|
Diodes Incorporated
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual 20V PNP-20V 64mOhm 4.5A IC
|
|
5,007En existencias
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.835
|
|
|
$0.551
|
|
|
$0.429
|
|
|
$0.313
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.307
|
|
|
$0.278
|
|
|
$0.275
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores digitales PREBIASED TRANSISTOR SOT-363 200MW
- DCX143EU-7-F
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.29
-
35,647En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DCX143EU-7-F
|
Diodes Incorporated
|
Transistores digitales PREBIASED TRANSISTOR SOT-363 200MW
|
|
35,647En existencias
|
|
|
$0.29
|
|
|
$0.131
|
|
|
$0.088
|
|
|
$0.069
|
|
|
$0.052
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.063
|
|
|
$0.048
|
|
|
$0.046
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores digitales DUAL PNP 200mW
- DDA114EU-7-F
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.38
-
61,422En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DDA114EU-F
|
Diodes Incorporated
|
Transistores digitales DUAL PNP 200mW
|
|
61,422En existencias
|
|
|
$0.38
|
|
|
$0.214
|
|
|
$0.14
|
|
|
$0.105
|
|
|
$0.059
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.088
|
|
|
$0.058
|
|
|
$0.055
|
|
|
$0.052
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
- BSC0923NDI
- Infineon Technologies
-
1:
$1.82
-
4,553En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0923NDI
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
|
|
4,553En existencias
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.75
|
|
|
$0.595
|
|
|
$0.464
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.529
|
|
|
$0.483
|
|
|
$0.406
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R12ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$136.33
-
17En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF450R12ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R12ME4WB73BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$214.27
-
19En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12ME4WB73B
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
19En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
- HP8MA2TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.77
-
2,500En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-HP8MA2TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
|
|
2,500En existencias
|
|
|
$2.77
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.982
|
|
|
$0.915
|
|
|
$0.866
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch+Pch Si MOSFET
- QH8JA1TCR
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.50
-
8,786En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-QH8JA1TCR
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch+Pch Si MOSFET
|
|
8,786En existencias
|
|
|
$1.50
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.63
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.414
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.378
|
|
|
$0.373
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
- SCS210KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$11.44
-
450En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS210KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
|
|
450En existencias
|
|
|
$11.44
|
|
|
$6.96
|
|
|
$5.92
|
|
|
$5.91
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch+Pch -30V -9A MOSFET
- SH8J66TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.86
-
3,350En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SH8J66TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch+Pch -30V -9A MOSFET
|
|
3,350En existencias
|
|
|
$2.86
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.14
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
- SP8K2HZGTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.56
-
3,960En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SP8K2HZGTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
|
|
3,960En existencias
|
|
|
$2.56
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.975
|
|
|
$0.89
|
|
|
$0.771
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.838
|
|
|
$0.762
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
