YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V 10mOhm TO-252
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 20.7A 4.5mohm PMPAK-3x3
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 13.7A 12mOhm PMPAK3x3
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 20.7A 4.2mOhm PMPAK5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 45A 1.5mohm SPPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 36.5A 2.28mohm SPPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 61.4A 0.85mohm PMPAK5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 500V 290mohm TO-252(H)
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 95mohm TO-247
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 290mohm TO-220CFM-T
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-220CFM-T
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-252
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 650V 74mohm TO-247
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N + N 30V/30V 14.2A/22.9A 5.5mohm/2.5mohm PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 60V 6.7A 38mohm PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.7A 6mOhm PMPAK5x6L
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.6A 6.3mOhm PMPAK5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 18.5A 8mOhm SPPAK5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -60V 25mohm TO-252
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 80V 28.2A 3.5mOhm PMPAK5x6
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