Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

T2G4005528-FS

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

772-T2G4005528-FS

Fabricante N.º:

T2G4005528-FS

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Ciclo de vida:

Disponibilidad restringida:

Este número de pieza no se encuentra disponible actualmente en Mouser. El producto puede estar en distribución limitada o en un pedido especial de fábrica.

Hoja de datos:

T2G4005528-FS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Qorvo T2G4005528-FS

Alerta de envío:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Paquete / Cubierta:	NI-360
Polaridad del transistor:	N-Channel
Marca:	Qorvo
Ganancia:	16 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.5 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	55 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	T2G4005528
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Tipo:	GaN SiC HEMT
Alias de las piezas n.º:	T2G4005528 1099993

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

T2G4005528-FS Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.