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UJ4C075023B7S

Name: onsemi UJ4C075023B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4C075023B7S
Price: 18.07 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

431-UJ4C075023B7S

Fabricante N.º:

UJ4C075023B7S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263-7

Hoja de datos:

UJ4C075023B7S Hoja de datos

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2,400	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	64 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	29 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6 V
Qg - Carga de puerta:	37.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	278 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC FET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	23 ns
Serie:	UJ4C
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	158 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

FET SiC UJ4C/SC de 750 V en paquete D2PAK-7L

Los FET SiC UJ4C/SC de 750 V en paquete D2PAK-7L de UnitedSiC / Qorvo están disponibles en múltiples opciones de resistencia de encendido de 9 mΩ a 60 mΩ. Al aprovechar una exclusiva tecnología Cascode de FET SiC, en la que un JFET SiC normalmente activado está incluido con un MOSFET de silicio para producir un FET SiC normalmente inactivo, estos dispositivos ofrecen un mejor factor de mérito de R_DS X Area de su clase, lo que resulta en las pérdidas de conducción más bajas en una pequeña matriz. El paquete D2PAK-7L proporciona una inductancia reducida mediante circuitos compactos de conexión interna que, junto con la conexión de fuente Kelvin incluida, resulta en una baja pérdida de conmutación, lo que permite una operación a mayor frecuencia y una mejor densidad de potencia del sistema. Cinco conexiones de fuente paralelas en forma de ala de gaviota permiten una baja inductancia y un alto consumo de corriente. La adhesión de matrices mediante sintetizado de plata resulta en una resistencia térmica muy baja para una máxima extracción de calor en las placas de circuito impreso (PCB) estándar y los sustratos IMS con refrigeración líquida. Estos FET SiC ofrecen un diodo de cuerpo compacto, una carga de puerta ultrabaja y un voltaje umbral de 4.8 V que permite una conducción de 0 V a 15 V. Las características de control de puertas estándar de los FET los convierten en reemplazos ideales para IGBT de Si, FET de Si, MOSFET SiC o dispositivos de máxima unión de Si.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are a high-performance series delivering industry-best performance Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speed, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can significantly enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.