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SIHK100N65E-T1-GE3

Name: Vishay SIHK100N65E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIHK100N65ET1-GE3
Price: 9.33 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIHK100N65ET1-GE3

Fabricante N.º:

SIHK100N65E-T1-GE3

Fabricante:

Vishay

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$9.33	$9.33
	$6.41	$64.10
	$5.15	$515.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$4.20	$8,400.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-10x12
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	28 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	100 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	41 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	184 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	68 ns
Serie:	SIHK E
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28 ns

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

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Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs in PowerPAK^® 10 x 12 packaging feature power technology. These power MOSFETs optimize power efficiency, while the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. These components are 100% Rg and UIS tested. Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs enhance power dissipation and lower thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, and power supplies.