Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SIEH4800EW-T1-GE3

Name: Vishay SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIEH4800EW-T1-GE3
Price: 5.97 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

78-SIEH4800EW-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIEH4800EW-T1-GE3

Fabricante:

Vishay

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

SIEH4800EW-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Vishay SIEH4800EW-T1-GE3

En existencias: 2,765

Existencias:: 2,765 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$5.97	$5.97
	$4.15	$41.50
	$3.00	$300.00
	$2.98	$1,490.00
	$2.43	$7,290.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	34 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	278 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	3.4 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Vishay
Tiempo de caída:	30 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	150 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 s
Tiempo típico de demora de encendido:	140 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SIEH4800EW-T1-GE3 Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^® Gen IV N-Channel MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. Housed in a compact PowerPAK^® 8mm x 8mm bond wireless (BWL) package, the SiEH4800EW delivers an exceptionally low on-resistance of 0.00115Ω at a V_GS of 10V, minimizing conduction losses and improving thermal performance. With a maximum continuous drain current of 260A and a low gate charge of 117nC, the Vishay / Siliconix MOSFET is optimized for fast switching and high-current handling, making it ideal for use in synchronous rectification, motor drives, and high-performance DC-DC converters. A rugged design and advanced trench technology ensure reliable operation in demanding environments.