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SQ1912AEEH-T1_GE3

Name: Vishay SQ1912AEEH-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQ1912AEEH-T1_GE3
Price: 0.74 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQ1912AEEH-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQ1912AEEH-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

Hoja de datos:

SQ1912AEEH-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.74	$0.74
	$0.454	$4.54
	$0.296	$29.60
	$0.226	$113.00
	$0.203	$203.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.173	$519.00
	$0.159	$954.00
	$0.138	$1,242.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	800 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	200 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	1.25 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	390 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	108 ns
Serie:	SQ
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	715 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	66 ns
Peso de la unidad:	7.500 mg

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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

48V DC/DC Converters

Vishay 48V DC/DC Converters are used in the products that need to remain 12V battery load while 48V battery is used in the vehicles. These converters can bring down 48V-12V, so the converter is a significant application for future cars. Different topologies are made possible with these devices like multiphase coupled and non-coupled inductors. Vishay offers a broad portfolio of solutions with standard devices like MOSFETs, diodes, resistors, capacitors, inductors, and customized magnetic solutions.