SIR572DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix
78-SIR572DP-T1-BE3
SIR572DP-T1-BE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V

Ciclo de vida:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$2.67 $2.67
$1.72 $17.20
$1.23 $123.00
$1.06 $530.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.896 $2,688.00
$0.83 $4,980.00
$0.811 $7,299.00
24,000 Presupuesto
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
150 V
59.7 A
10.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
35.9 nC
- 55 C
+ 150 C
92.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay / Siliconix
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 50 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 62 ns
Serie: SiR572DP
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 29 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 21 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.