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IRFR220PBF

Name: Vishay IRFR220PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR220PBF
Price: 0.78 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

844-IRFR220PBF

Fabricante N.º:

IRFR220PBF

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

IRFR220PBF Hoja de datos

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	$0.312	$1,872.00
	$0.298	$2,682.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR220TRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.28

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N.º de artículo del Fabricante:

IRFR220TRRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.28

Mín.:

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR220PBF-BE3

Embalaje:

Bulk

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.11

Mín.:

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	800 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	42 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Serie:	IRFR/U
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.2 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3