TPWR6003PL,L1Q
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757-TPWR6003PLL1Q
TPWR6003PL,L1Q
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos:
En existencias: 23,774
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| $3.73 | $3.73 | |
| $2.63 | $26.30 | |
| $1.87 | $187.00 | |
| $1.69 | $845.00 | |
| $1.60 | $1,600.00 | |
| $1.55 | $3,875.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| $1.37 | $6,850.00 | |
| 10,000 | Presupuesto | |
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
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Hoja de datos
Application Notes
- Basics of CMOS Logic ICs
- C2MOS LOGIC IC Product Guide STD Series
- CMOS Logic ICs Selection Guide
- CMOS Logic ICs Usage Considerations
- Glossary of CMOS Logic IC Terms
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
