TPHR9003NL,L1Q

Toshiba
757-TPHR9003NLL1Q
TPHR9003NL,L1Q

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

Modelo ECAD:
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En existencias: 3,827

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$-.--
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$2.56 $2.56
$1.87 $18.70
$1.32 $132.00
$1.10 $550.00
$1.09 $1,090.00
$1.08 $2,700.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
$0.893 $4,465.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
60 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
74 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: TPHR9003NL
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 83 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Motor Control Applications

Toshiba Motor Control Applications are a portfolio of new-generation devices for motor applications. Included are high-performance MOSFETs for high efficiency in end products. These Toshiba MOSFETs are fabricated using the current Gen-8 trench MOS process, which helps improve the efficiency of power supplies. Features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness.