TPH4R606NH,L1Q
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757-TPH4R606NHL1Q
TPH4R606NH,L1Q
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
Hoja de datos:
En existencias: 4,928
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| $2.74 | $2.74 | |
| $1.81 | $18.10 | |
| $1.26 | $126.00 | |
| $1.04 | $520.00 | |
| $1.02 | $2,550.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| $0.846 | $4,230.00 | |
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
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Hoja de datos
Application Notes
- Basic Characteristics of IC Couplers for Gate Drive of Power Devices
- Gate Drive Coupler Notes on using power device gate negative bias power supply
- Glossary of Photocoupler and Photorelay Terms
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Safety Standards for Photocouplers
- Simple Guide to Improving Ripple Rejection Ratio of LDO Regulators
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
