TK20E60W5,S1VX
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757-TK20E60W5S1VX
TK20E60W5,S1VX
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos:
En existencias: 100
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $5.02 | $5.02 | |
| $2.73 | $27.30 | |
| $2.43 | $243.00 | |
| $2.02 | $1,010.00 | |
| $1.96 | $1,960.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Operational Amplifiers and Comparators
- Designing of Low Power Op Amps for Dust Sensor
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Low-Noise CMOS Operational Amplifider Ideal for Sensor Signal Amplification
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Signal Gain and Noise Gain of the Op-Amp
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
