TK10A50W,S5X
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757-TK10A50WS5X
TK10A50W,S5X
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.58 | $2.58 | |
| $1.27 | $12.70 | |
| $1.14 | $114.00 | |
| $0.919 | $459.50 | |
| $0.821 | $821.00 | |
| $0.806 | $2,015.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Applications of Low-Voltage One-Gate Logic ICs to Level Shift Circuits
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
República Dominicana
