GT20N135SRA,S1E

Name: Toshiba GT20N135SRA,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT20N135SRA,S1E
Price: 3.85 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-GT20N135SRA,S1E

Fabricante N.º:

GT20N135SRA,S1E

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

IGBTs DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A

Hoja de datos:

GT20N135SRA,S1E Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.35 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.4 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 25 V, 25 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	40 A
Dp - Disipación de potencia :	312 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	6.150 mg

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT

Toshiba GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT is a 6.5th generation IGBT and consists of a Freewheeling Diode (FWD) monolithically integrated with an IGBT chip. This IGBT features a low saturation voltage of 1.60V and operates at a maximum of 175°C high junction temperature and 0.25µs of high-speed switching. The GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT is ideal for voltage-resonant inverter switching, soft switching, induction cooktops, and home appliance applications.